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SIHG460B-GE3

更新时间:2025-05-22 21:01:04
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SIHG460B-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    500 V
  • 闸/源击穿电压
    20 V
  • 漏极连续电流
    20 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    250 mOhms
  • 配置
    Single
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-247 AC
  • 封装
    Bulk
  • 下降时间
    56 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    12 S
  • 栅极电荷 Qg
    85 nC
  • 功率耗散
    278 mW
  • 上升时间
    31 ns
芯知识
5.4万
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广东微尔科技有限公司
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