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SIHW30N60E-GE3

更新时间:2025-05-16 03:25:05
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SIHW30N60E-GE3 规格参数
  • 现有数量
    159现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    29A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    125 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    130 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2600 pF @ 100 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    250W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-247AD
  • 封装/外壳
    TO-3P-3 整包
芯知识
5.4万
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广东微尔科技有限公司
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