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SISA18ADN-T1-GE3

更新时间:2025-05-17 00:32:32
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SISA18ADN-T1-GE3 规格参数
  • 现有数量
    54现货
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    38.3A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    7.5 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    21.5 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    +20V，-16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1000 pF @ 15 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    3.2W（Ta），19.8W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    PowerPAK? 1212-8
  • 封装/外壳
    PowerPAK? 1212-8
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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