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SISS67DN-T1-GE3

更新时间:2025-05-23 09:29:11
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SISS67DN-T1-GE3 规格参数
  • 品牌：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
  • 包装：3000/标准卷带
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：60A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.5 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：111nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4380pF @ 15V
  • 功率耗散（最大值）：65.8W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  • 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8S
芯知识
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广东微尔科技有限公司
SISS67DN-T1-GE3推荐型号
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