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SMA5112

更新时间:2025-06-02 12:32:32
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SMA5112 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    6 N-沟道（3 相桥）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    250V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    7A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    500 毫欧 @ 3.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    -
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    450pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    4W
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    12-SIP
  • 供应商器件封装
    12-SIP
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