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SN74AS808BDWR

更新时间:2025-06-01 02:43:54

供应商
产品型号
服务标识
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厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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公司现货，进口原装热卖

深圳市华美锐电子有限公司
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3167
TI
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公司现货，进口原装热卖

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只做原装，现货库存

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原装现货支持BOM配单服务

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原装现货，可开票，提供账期诚信服务

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现货假一罚万只做原厂原装现货

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一站式配单，只做原装

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SN74AS808BDWR外观图

SN74AS808BDWR

Texas Instruments 逻辑 - 栅极和逆变器

IC GATE AND HEX 2INPUT 20SOICW

封装:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

SN74AS808BDWR 概述

SN74AS808BDWR是德州仪器生产的一款高性能CMOS静态RAM芯片。该器件具有2K x 8位的存储容量，采用低功耗设计，适用于需要快速数据存取的应用场景。其工作电压范围为4.5V至5.5V，保证了在不同供电条件下的稳定运行。此芯片常用于通信设备、工业控制系统以及便携式电子产品的数据缓存和临时存储。它支持快速访问速度，在100 ns内可完成一次读写操作，满足实时性要求较高的应用需求。封装形式为SOIC-24，便于集成到紧凑型电路板设计中。使用时需注意电源去耦电容的合理配置，以减少噪声干扰。建议在靠近电源引脚处放置0.1μF陶瓷电容，并确保良好的接地设计。在高速信号传输线路设计上，应遵循阻抗匹配原则，避免信号反射影响系统性能。

SN74AS808BDWR 规格参数

标准包装
2,000
类别
集成电路 (IC)
家庭
逻辑 - 栅极和逆变器
系列
74AS
逻辑类型
与门
电路数
6
输入数
2
特点
-
电源电压
4.5 V ~ 5.5 V
电流 - 静态（最大值）
-
输出电流高，低
48mA，48mA
逻辑电平 - 低
0.8V
逻辑电平 - 高
2V
额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟
6ns @ 4.5V ~ 5.5V，50pF
工作温度
0°C ~ 70°C
安装类型
表面贴装
供应商设备封装
20-SOIC
封装/外壳
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
包装
带卷 (TR)

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