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SP8M3FU6TB1

更新时间:2025-06-07 21:52:52
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SP8M3FU6TB1 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    停产
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    5A（Ta），4.5A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    230pF @ 10V，850pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    2W（Ta）
  • 工作温度
    150°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装
    8-SOP
芯知识
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广东微尔科技有限公司
SP8M3FU6TB1推荐型号
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