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SP8M4TB

更新时间:2025-06-26 00:51:57
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SP8M4TB 规格参数
  • 制造商
    ROHM Semiconductor
  • 晶体管极性
    N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    30 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    +/- 9 A, +/- 7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.018 Ohms
  • 配置
    Dual Dual Drain
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SOP-8
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    22 ns, 70 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    2 W
  • 上升时间
    15 ns, 50 ns
  • 典型关闭延迟时间
    55 ns, 110 ns
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