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SPB12N50C3

更新时间:2025-06-14 21:07:46

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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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SPB12N50C3 规格参数

数据列表
SPB12N50C3
产品培训模块
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
560V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
380 毫欧 @ 7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3.9V @ 500µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
49nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1200pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
PG-TO263-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
SP000014894SPB12N50C3-NDSPB12N50C3INTRSPB12N50C3XT

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