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SPI11N65C3

更新时间:2025-06-11 20:49:33
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SPI11N65C3 规格参数
  • 数据列表
    SP(P,A,I)11N65C3
  • 产品培训模块
    CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装
    500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    CoolMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    11A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    380 毫欧 @ 7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3.9V @ 500µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    125W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装
    PG-TO262-3
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    SP000014526SPI11N65C3-NDSPI11N65C3INSPI11N65C3XSPI11N65C3XK
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