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SPP80P06P H

更新时间:2025-05-21 17:44:13
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SPP80P06P H 规格参数
  • 数据列表
    SPB,SPP80P06P G
  • 标准包装
    500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    SIPMOS®
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    80A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    23 毫欧 @ 64A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 5.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    173nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    5033pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    340W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    P-TO220-3
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    SP000441774SPP80P06P GSPP80P06P G-ND
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广东微尔科技有限公司
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