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SQJ416EP-T1_GE3

更新时间:2025-06-09 04:15:12
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SQJ416EP-T1_GE3 规格参数
  • 品牌：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO
  • 包装：1/剪切带（CT）
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：27A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：20nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：800pF @ 25V
  • 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
芯知识
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广东微尔科技有限公司
SQJ416EP-T1_GE3推荐型号
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