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SSP6N90

更新时间:2025-06-29 13:11:45

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SSP6N90 概述

SSP6N90是由Shindaiwa Semiconductor（或类似厂商）生产的高压功率MOSFET。该器件采用先进的平面栅极结构，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率电源转换应用。其最大漏源电压可达900V，连续漏极电流为6A，适合于高频开关电源、AC-DC适配器、电机驱动器和照明设备等应用场景。在具体应用中，SSP6N90通常用于反激式变换器的主开关管位置，能够有效降低开关损耗并提高系统整体效率。设计时应注意栅极驱动电路的设计，确保足够的驱动电压以达到最佳导通效果。同时，由于该MOSFET具有较高的击穿电压，因此在PCB布局时需要特别注意走线间距，避免因高压导致的电弧现象。此外，在实际使用中还需考虑适当的散热措施，如加装散热片，以保证器件长期稳定运行。

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