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STB11NM65N

更新时间:2025-05-24 02:26:50
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STB11NM65N 规格参数
  • 制造商
    STMicroelectronics
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    650 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 25 V
  • 漏极连续电流
    12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.38 Ohms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    D2PAK
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    20 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    125 W
  • 上升时间
    13 ns
  • 工厂包装数量
    1000
  • 典型关闭延迟时间
    55 ns
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广东微尔科技有限公司
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