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STB155N3LH6

更新时间:2025-06-07 18:49:13

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数量
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封装/批号
说明
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深圳市集好芯城科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市福田区超洋芯电子经营部
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STB155N3LH6外观图

STB155N3LH6

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

STB155N3LH6 概述

STB155N3LH6是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的第三代MDmesh工艺制造，具有极低的导通电阻和栅极电荷，适用于高效能的电源管理应用。其最大漏源电压（Vds）为30V，连续漏电流（Id）可达150A，在封装上使用了PQFN 8x8贴片封装，有利于节省电路板空间并提升散热性能。此款MOSFET广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、负载点（POL）转换器以及同步整流电路中。在实际应用时，建议根据具体电路需求选择合适的驱动电阻值以优化开关速度，并注意保证足够的散热措施来确保器件稳定运行。设计电路时还需考虑其最大工作电压与电流限制，避免超出规格范围使用。

STB155N3LH6 规格参数

其它有关文件
STB155N3LH6 View All Specifications
标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™ DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 毫欧 @ 40A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
80nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3800pF @ 25V
功率 - 最大
110W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
管件
其它名称
497-11323-5

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