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STB16NF25

更新时间:2025-06-10 00:49:18

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STB16NF25

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

STB16NF25 概述

STB16NF25是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效能开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为250V，适用于高电压应用场景如电源转换器、电机驱动和不间断电源系统等。在电源管理电路中，它能够有效降低功耗并提升整体效率。使用时需注意栅极驱动电压要足够以确保完全开启，推荐在实际电路设计中加入适当的散热措施以保证稳定运行。此型号特别适合需要承受高压且要求低损耗的电力电子设备。

STB16NF25 规格参数

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
14.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4490pF @ 12V
功率 - 最大
1.43W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)

芯知识

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