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STB24N60M6

更新时间:2025-06-11 18:24:18

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市泽芯微科技有限公司
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深圳市科祥威电子科技有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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STB24N60M6 概述

STB24N60M6是意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用MDmesh M6技术，具有低导通电阻和低栅极电荷特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压为600V，连续漏极电流可达24A，适合用于高效率AC-DC转换器、服务器电源、太阳能逆变器及工业电机驱动等领域。在实际应用中，建议将此MOSFET用于同步整流电路或硬开关拓扑结构中以充分发挥其高速开关性能。设计时应注意合理选择栅极电阻值来优化开关速度与EMI性能之间的平衡。同时，确保良好的PCB布局以降低寄生电感影响，提高整体系统稳定性。

STB24N60M6 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
MDmesh? M6
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
960 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

芯知识

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