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STB25NM60N1

更新时间:2025-07-14 01:57:37

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STB25NM60N1 概述

STB25NM60N1是意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度特性，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压为600V，连续漏极电流可达25A，适合用于工业级电源管理、不间断电源(UPS)、电机驱动器以及各种高频开关电源设计中。在实际应用中，此MOSFET常被用作主开关管或同步整流管。由于其快速的开关特性和较低的开关损耗，特别适合于需要高效能量转换的应用场合。使用时需注意栅极驱动电路的设计，确保足够的驱动电压以达到最佳导通性能，并且要考虑到散热设计，保证器件工作在安全温度范围内。对于高频率应用，还需关注PCB布局，尽量减小寄生电感对开关性能的影响。

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