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STB26NM60ND

更新时间:2025-07-13 18:26:48

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
STB26NM60ND
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诚信经营，提供BOM一站式配单服务
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专注电子元件十年，只做原装现货

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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助力国营二十余载，一站式BOM配单

深圳市琦凌凯科技有限公司
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十年配单，只做原装

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终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市世纪成达电子科技有限公
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专注电子元件十年，只做原装现货

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回收此型号STB26NM60ND

北京睿宸齐芯科技有限公司
STB26NM60ND
4061
-
DPAK/TO263/2024+/25+
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市芯创恒微电子有限公司
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得捷（深圳）商贸有限公司
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6000
ST
TO263/22+
原装，提供BOM配单服务

深圳羚行科技有限公司
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深圳市华芯源电子有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市得捷芯电子科技有限公司
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D2PAK/25+
原装，现货库存

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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无锡固电半导体股份有限公司
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深圳市思佳捷科技有限公司
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STB26NM60ND 概述

STB26NM60ND是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件专为高效率开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏极-源极电压为600V，适合用于高压电源转换器、电机驱动、不间断电源系统等需要高效能开关元件的应用场景。在电源转换器中使用时，建议根据具体电路需求选择合适的栅极驱动电阻以优化开关速度与EMI性能。由于该器件具备较高的耐压能力，在电机驱动应用中可有效提升系统的可靠性和安全性。实际设计时应注意散热管理，确保MOSFET在安全工作区域内运行，防止因过热导致的损坏。此外，应按照制造商推荐的PCB布局指南进行布线，以降低寄生电感对开关性能的影响。

STB26NM60ND 规格参数

现有数量
0现货
系列
FDmesh? II
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
175 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
54.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1817 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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广东微尔科技有限公司

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