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STB27NM60ND

更新时间:2025-06-17 07:16:32
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STB27NM60ND外观图

STB27NM60ND

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

  • 封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
STB27NM60ND 规格参数
  • 其它有关文件
    STB27NM60ND View All Specifications
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    FDmesh™ II
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    21A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    160 毫欧 @ 10.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2400pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    160W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装
    D²PAK
  • 包装
    带卷 (TR)
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广东微尔科技有限公司
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