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STB30N65M2AG

更新时间:2025-06-19 09:45:53

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深圳市得捷讯电子有限公司
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深圳市佳芯恒业科技有限公司
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STB30N65M2AG 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
30.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1440 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

芯知识

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广东微尔科技有限公司

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