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STD150N3LLH6

更新时间:2025-06-13 03:14:08

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封装/批号
说明
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STD150N3LLH6外观图

STD150N3LLH6

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

STD150N3LLH6 概述

STD150N3LLH6是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为30V，适用于高效直流-直流转换器、负载点调节器以及电池供电设备等应用场合。在电源管理电路中，能够有效降低能量损耗并提高系统效率。使用时需注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，同时合理设计散热措施避免过热损坏。在PCB布局上应尽量缩短源极到驱动回路的路径以减少寄生电感影响。

STD150N3LLH6 规格参数

其它有关文件
STD150N3LLH6 View All Specifications
标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.8 毫欧 @ 40A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3700pF @ 25V
功率 - 最大
110W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-8889-6

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