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STD16NE10T4

更新时间:2025-05-19 11:39:26

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STD16NE10T4 概述

STD16NE10T4是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用。该MOSFET的最大漏源电压为100V，在25℃环境温度下连续漏极电流可达16A。其栅极电荷较低，有助于降低驱动损耗。常见应用场景包括直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、电机控制以及各类需要高效功率转换的工业设备。在实际电路设计中，需确保栅极驱动电压足够以完全开启MOSFET，并且要关注散热设计，避免因过热导致性能下降或损坏。对于高速开关应用，建议优化PCB布局以减小寄生电感影响。

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