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STFU10N80K5

更新时间:2025-10-05 19:19:36

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产品型号
服务标识
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封装/批号
说明
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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STFU10N80K5 概述

STFU10N80K5是意法半导体生产的一款高压功率MOSFET。它采用先进的MDmesh K5技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件的最大漏源电压为800V，连续漏极电流可达10A，在高温环境下仍能保持稳定性能。此MOSFET适用于开关电源、照明系统中的LED驱动器、适配器以及工业应用中的高压转换器等场景。其快速开关特性有助于提高效率并减少电磁干扰。在实际应用中，建议确保栅极驱动电路能够提供足够的驱动能力以实现最佳开关速度，并且注意适当的散热设计来维持长期可靠性。对于需要高电压处理能力和高效能表现的应用来说，这款MOSFET是一个理想的选择。

STFU10N80K5 规格参数

现有数量
1,947现货
系列
MDmesh? K5
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
635 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包

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STFU10N80K5推荐型号

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