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STFU11N65M2

更新时间:2025-10-05 22:57:16

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STFU11N65M2 概述

STFU11N65M2是由意法半导体生产的高性能功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh M2技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压为650V，连续漏极电流可达11A，适合在高功率密度和高效率要求的场合使用。典型应用场景包括服务器电源、太阳能逆变器、不间断电源系统以及工业焊接设备等。设计时应注意合理的栅极驱动电路设计，以确保最佳的开关性能和稳定性。在实际应用中，建议配合合适的散热器使用，并遵循推荐的PCB布局规则，以降低热阻和提高整体可靠性。

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