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STGWA100H65DFB2

更新时间:2025-06-13 16:20:56
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  • STGWA100H65DFB2-HXY

    STGWA100H65DFB2-HXY

  • 6000

  • HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • TO247/25+26+

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STGWA100H65DFB2 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    HB2
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • IGBT 类型
    沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    145 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
    300 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2V @ 15V，100A
  • 功率 - 最大值
    441 W
  • 开关能量
    2.2mJ（开），1.4mJ（关）
  • 输入类型
    标准
  • 栅极电荷
    288 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值
    30ns/130ns
  • 测试条件
    400V，100A，2.2 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)
    123 ns
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商器件封装
    TO-247 长引线
芯产品
249
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广东微尔科技有限公司
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