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STGWA80H65DFB

更新时间:2025-06-15 17:34:26

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深圳市诚研翔科技有限公司
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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深圳市君云达电子科技有限公司
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深圳市波光电子有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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ST/意法
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现货十年以上分销商，原装进口件，服务型企业

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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原装免费送样一站式元器件采购商城

深圳市科昂电子集团有限公司
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深圳市美格纳电子有限公司
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳诚思涵科技有限公司
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惠州市利湾智能科技有限责任公
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深圳市波光电子有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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标准国际（香港）有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳羚行科技有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市港博科电子有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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原厂渠道，现货配单

深圳市伟芯源电子科技有限公司
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全新原装询价联系QQ420045561

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市华斯顿科技有限公司
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STGWA80H65DFB 概述

STGWA80H65DFB是意法半导体生产的一款高压功率晶体管，采用先进的沟道栅极结构硅基氮化镓(GaN)技术。该器件专为高效能电力转换应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。典型应用场景包括服务器电源、太阳能逆变器、不间断电源系统等需要高效率和高功率密度的设计。其最大漏源电压(VDS)可达650V，连续漏极电流(ID)高达80A，能够满足工业级应用要求。在实际应用中，建议配合合适的栅极驱动电路使用，以确保可靠的开关性能。由于氮化镓器件的特殊性，在PCB布局时需特别注意寄生电感的影响，推荐使用尽可能短而宽的走线连接源极和漏极焊盘，以减少开关损耗并提高整体效率。同时应注意散热设计，保证器件工作温度在安全范围内。

STGWA80H65DFB 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
240 A
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，80A
功率 - 最大值
469 W
开关能量
2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
414 nC
25°C 时 Td（开/关）值
84ns/280ns
测试条件
400V，80A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
85 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 长引线

芯知识

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