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STH3N150-2

更新时间:2025-06-03 19:43:49

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深圳市诚研翔科技有限公司
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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深圳市高胜电子有限公司
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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ST
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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ST
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深圳市得捷讯电子有限公司
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深圳市美格纳电子有限公司
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ST/意法
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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ST
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深圳市波光电子有限公司
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ST
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优势
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特价原装，假一赔十

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深圳市华盛锦科技有限公司
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深圳市泰佳兴电子有限公司
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大量现货，提供一站式配单服务

深圳市高胜电子有限公司
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TO263/24+
进口原装现货

深圳市诚研翔科技有限公司
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ST
D2PAK (TO263)/22+
原装现货，配单能手

深圳市逢君电子有限公司
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ST(意法)
-/-
原厂现货，一站式BOM配单

深圳市铠翰智能工控有限公司
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11400
ST(意法)
H2PAK2/23+
原装现货,特价支持

深圳市铭科微电子有限公司
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60000
ADI
TO263/22+
原装现货

深圳市芯创恒微电子有限公司
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3000
ST
HPAK/20+
原装现货，优势渠道

深圳市汇联微电子有限公司
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深圳市创芯友科技有限公司
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4765
TI/德州仪器
QFP80/23+
原装，提供一站式配单服务

深圳市庆驰电子科技有限公司
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11520
ST
H2PAK2/-
原装/一站BOM配单/签质保5年

深圳市楚胜电子有限公司
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房间现货，价格优势。

深圳市得捷讯电子有限公司
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ST/意法
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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ST(意法半导体)
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深圳市捷立辉科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市正川电子有限公司
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D2PAK (TO263)/23+
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深圳市君云达电子科技有限公司
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深圳市美格纳电子有限公司
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STH3N150-2 概述

STH3N150-2是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能功率MOSFET。该器件采用先进的第三代超结技术制造，具有低导通电阻和低栅极电荷特性。其最大漏源电压(Vds)为150V，适用于需要高效率和高可靠性的电源转换应用。典型应用场景包括不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机驱动以及工业电源等需要高效功率转换的场合。在电路设计中，建议选择合适的栅极驱动电阻来优化开关性能，并确保良好的PCB布局以降低寄生电感影响。使用时应注意控制栅极电压不超过额定值，避免过高的dv/dt造成器件损坏。适当的散热设计也非常重要，以保证器件工作在安全温度范围内。

STH3N150-2 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
PowerMESH?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 欧姆 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
29.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
939 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
140W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型

芯知识

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