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STI11NM80

更新时间:2025-06-11 02:06:54

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MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK-3

封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

STI11NM80 概述

STI11NM80是意法半导体生产的一款功率MOSFET，适用于高电压应用。该器件具有较低的导通电阻和栅极电荷，可在开关电源、不间断电源系统和电机驱动等场景中实现高效能转换。其最大漏源电压可达800V，适合在恶劣电气环境下稳定工作。由于具备快速开关特性，有助于减少能量损耗，提升整体系统效率。在电路设计时应注意栅极电阻的选择以优化开关速度并防止振荡现象。典型应用包括高压DC-DC转换器和谐振变换器中作为初级侧开关管使用。需确保散热设计合理，以维持长期可靠运行。

STI11NM80 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫欧 @ 5.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
43.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1630pF @ 25V
功率 - 最大
150W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK（TO-262）
包装
管件
其它名称
497-13106-5

芯产品

325

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