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STI19NM65N

更新时间:2025-06-13 02:54:37

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STI19NM65N

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK

封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

STI19NM65N 概述

STI19NM65N是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，专为高压应用设计。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻和快速开关特性，在高压电源转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动等应用中表现出色。这款MOSFET的最大漏源电压（Vds）可达650V，连续漏极电流（Id）为19A，适用于需要高效率和可靠性的电力电子系统。其栅极电荷较低，有助于提高开关速度并降低驱动损耗。在实际应用中，建议在栅极串联一个小电阻以抑制振荡，并在源极和栅极之间并联一个齐纳二极管进行保护。对于高频开关电源设计，需特别注意PCB布局，尽量减小寄生电感影响，确保稳定运行。此外，选择合适的散热器对提升长期可靠性至关重要。

STI19NM65N 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫欧 @ 7.75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1900pF @ 50V
功率 - 最大
150W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK
包装
管件

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