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STI23NM60ND

更新时间:2025-06-22 17:26:25

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STI23NM60ND

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK

封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

STI23NM60ND 概述

STI23NM60ND是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220绝缘封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为600V，适合在高压应用中使用。典型应用场景包括开关电源、电机驱动、不间断电源(UPS)和照明系统等。在电路设计中，这款MOSFET可作为高效能的开关元件。由于其栅极电荷较低，可以实现快速切换，减少开关损耗。建议在实际应用中注意栅极驱动电路的设计，确保提供足够的驱动电压以达到最佳性能。同时，在高功率应用中要特别关注散热设计，保证器件工作温度在安全范围内。对于电机驱动应用，需要考虑适当的保护电路来防止过压和过流损坏MOSFET。

STI23NM60ND 规格参数

其它有关文件
STI23NM60ND View All Specifications
标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
FDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
19.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2050pF @ 50V
功率 - 最大
150W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK
包装
管件

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