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STI35N65M5

更新时间:2025-05-21 03:28:29

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STI35N65M5

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK

封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

STI35N65M5 概述

STI35N65M5是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh M5技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率电源转换应用。其最大漏源电压为650V，适合于高压应用场景如工业电源、不间断电源系统（UPS）、太阳能逆变器及电动汽车充电设备等。在电路设计中，建议使用适当的栅极驱动电路以确保快速且可靠的开关操作。为了最大化其散热性能，推荐选用合适的散热器或利用PCB铜箔作为散热途径。此外，在布局时应尽量缩短源极与栅极之间的走线长度，减少寄生电感对开关性能的影响。注意其工作温度范围，并确保实际应用环境符合规格书中的要求，以保障长期稳定运行。

STI35N65M5 规格参数

其它有关文件
STI35N65M5 View All Specifications
标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
27A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
98 毫欧 @ 13.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
83nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3750pF @ 100V
功率 - 最大
160W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK
包装
管件
其它名称
497-11332-5

芯知识

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