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STL9N65M2

更新时间:2025-06-10 04:53:48

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STL9N65M2 概述

STL9N65M2是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh M2技术，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压Vds为650V，连续漏极电流Id为8A（在25°C条件下），栅极-源极电压Vgs为±30V。典型应用包括开关电源、适配器、照明设备以及工业控制等领域。由于其高效率和可靠性，STL9N65M2常用于高压DC-DC转换器和谐振电路设计中，可有效提升系统能效并减少热损耗。在实际应用中，需确保栅极驱动电压足够以充分开启MOSFET，并注意散热设计以保证稳定运行。

STL9N65M2 规格参数

现有数量
1,000现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
-
技术
-
漏源电压（Vdss）
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
-
封装/外壳
-

芯产品

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