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STP45N40DM2AG

更新时间:2025-06-22 08:27:14

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封装/批号
说明
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香港晨兴安富利电子有限公司
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STP45N40DM2AG 概述

STP45N40DM2AG是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DM2封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能的电源管理应用。其优化的栅极电荷使得在高频开关应用中表现出色，可以降低驱动损耗并提高整体效率。典型应用场景包括不间断电源(UPS)、电机控制、直流-直流转换器以及各种需要高效率和紧凑设计的电力电子设备。在实际使用中，建议充分考虑散热设计，确保器件工作在安全温度范围内。由于其低栅极电荷特性，在驱动电路设计时可以选择较小的驱动电流能力，有助于简化外围电路设计并降低成本。同时注意遵循制造商推荐的PCB布局指南以优化电气性能和热性能。

STP45N40DM2AG 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101, MDmesh? DM2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
72 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2600 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3

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