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STQ2NK60ZRAP

更新时间:2025-05-28 22:50:23

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STQ2NK60ZRAP 概述

STQ2NK60ZRAP是由意法半导体生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压应用，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为600V，适合在高可靠性要求的电源转换电路中使用，如开关电源、不间断电源系统及照明控制设备等。由于其紧凑的封装形式（DPAK），特别适用于对空间有严格要求的应用场景。在实际应用中，建议关注栅极驱动电路的设计以确保可靠开关，并注意散热管理，避免因过热导致性能下降或损坏。此型号可帮助实现高效能且紧凑的电源解决方案。

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