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STS19N3LLH6

更新时间:2025-05-25 06:44:57
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STS19N3LLH6外观图

STS19N3LLH6

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
STS19N3LLH6 规格参数
  • 其它有关文件
    STS19N3LLH6 View All Specifications
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    STripFET™ DeepGATE™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    19A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    5.6 毫欧 @ 9.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    17nC @ 15V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1690pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    2.7W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    497-12677-6
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广东微尔科技有限公司
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