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STS9P3LLH6

更新时间:2025-10-01 21:49:36
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STS9P3LLH6 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    STripFET? H6
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    停产
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    9A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    15 毫欧 @ 4.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    24 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2615 pF @ 25 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    2.7W（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    8-SO
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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广东微尔科技有限公司
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