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STU8NM50N

更新时间:2025-06-23 03:29:24
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STU8NM50N外观图

STU8NM50N

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

  • 封装:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
STU8NM50N 规格参数
  • 其它有关文件
    STU8NM50N View All Specifications
  • 标准包装
    75
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    Mdmesh™ II
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    790 毫欧 @ 2.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    364pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    45W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
  • 供应商设备封装
    I-Pak
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    497-12368
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广东微尔科技有限公司
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