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STU9HN65M2

更新时间:2025-08-26 18:34:31
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STU9HN65M2 规格参数
  • 品牌：STMicroelectronics
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
  • 包装：75/管件
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：820 毫欧 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：11.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：325pF @ 100V
  • 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：I-PAK
  • 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
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广东微尔科技有限公司
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