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STW15NA50

更新时间:2025-07-05 02:21:28

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STW15NA50 概述

STW15NA50是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，专为高电压应用设计。该器件的最大漏源电压（Vds）为500V，连续漏极电流（Id）在25℃时可达15A。它采用TO-247封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源转换电路中。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、电机驱动、开关模式电源（SMPS）等需要高电压处理能力的场合。在实际应用中，需注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，并且要合理设计散热系统以维持稳定工作温度。对于高频应用，还需考虑其开关损耗与热管理。

STW15NA50 规格参数

制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
500 V
闸/源击穿电压
+/- 30 V
漏极连续电流
14.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.4 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247
下降时间
17 ns
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
190 W
上升时间
37 ns
工厂包装数量
30

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