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TE125N20E

更新时间:2025-06-14 19:46:06

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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TE125N20E 概述

TE125N20E是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效能电源管理应用。其最大漏源电压为200V，能够承受较高的电压应力，在工业级温度范围内稳定工作。这款MOSFET常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场合。在电机驱动电路中，可以作为H桥或半桥电路的关键开关元件，提供快速的开关响应和较低的能量损耗。在设计时需注意栅极驱动电压的选择，以确保MOSFET完全导通，并且要合理布局PCB以优化散热性能，防止过热损坏。此外，建议在栅极串联小电阻来抑制振荡现象。

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