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TF60N03

更新时间:2025-05-16 21:43:34

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TF60N03 概述

TF60N03是来自无锡华润华晶微电子的一款N沟道增强型MOSFET。它采用TO-220封装，适用于中低压应用场景。该器件具有低导通电阻特性，在栅源电压为10V时典型值仅为0.03欧姆，有助于减少导通损耗。其最大漏极电流可达60A，适合用于需要大电流处理能力的电路。典型应用包括直流电机驱动、电源管理以及不间断电源系统等场景。在实际使用中，建议确保栅极驱动电路能够提供足够的电压以保证MOSFET完全开启。设计时需注意散热问题，特别是在高负载条件下工作时，推荐加装适当的散热器以维持器件稳定运行。对于电源转换电路，可以考虑将其与相应的控制IC配合使用，实现高效的能量传输和转换。

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