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TH58BYG2S3HBAI6

更新时间:2025-05-29 12:28:49
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TH58BYG2S3HBAI6 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    Benand?
  • 包装
    托盘
  • 产品状态
    在售
  • 存储器类型
    非易失
  • 存储器格式
    闪存
  • 技术
    FLASH - NAND（SLC）
  • 存储容量
    4Gb
  • 存储器组织
    512M x 8
  • 存储器接口
    并联
  • 时钟频率
    -
  • 写周期时间 - 字，页
    25ns
  • 访问时间
    25 ns
  • 电压 - 供电
    1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度
    -40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    67-VFBGA
  • 供应商器件封装
    67-VFBGA（6.5x8）
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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