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TK2R4E08QM,S1X

更新时间:2025-05-28 22:05:45
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TK2R4E08QM,S1X 规格参数
  • 现有数量
    196现货
  • 系列
    U-MOSX-H
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    120A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    2.44 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.5V @ 2.2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    178 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    13000 pF @ 40 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    300W（Tc）
  • 工作温度
    175°C
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-220
  • 封装/外壳
    TO-220-3
芯产品
6988
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广东微尔科技有限公司
TK2R4E08QM,S1X推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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