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TK40E10N1,S1X

更新时间:2025-05-04 12:16:42
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TK40E10N1,S1X的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 数据列表：TK40E10N1
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：90A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.2 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 500µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：49nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3000pF @ 50V
  • 功率 - 最大：126W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：*
  • 供应商设备封装：TO-220
  • 包装：管件
  • 其它名称：TK40E10N1S1X
芯知识
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TK40E10N1,S1X推荐型号
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