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TK65E10N1,S1X

更新时间:2025-05-06 12:24:10
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SS110P6KE12CACC2591RGVRAO444174LVC1G08SE-7NUD3112DMT1GAO4918BAV19W
TK65E10N1,S1X的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 数据列表：TK65E10N1
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：148A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.8 毫欧 @ 32.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：81nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5400pF @ 50V
  • 功率 - 最大：192W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220
  • 包装：管件
  • 其它名称：TK65E10N1S1X
芯知识
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