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TK6Q65W,S1Q

更新时间:2025-05-05 15:29:32
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  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：75 : ￥9.44240管件
  • 系列：DTMOSIV
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.05 欧姆 @ 2.9A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 180μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：390 pF @ 300 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：I-Pak
  • 封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
TK6Q65W,S1Q推荐型号
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