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TK8Q65W,S1Q

更新时间:2025-06-07 20:02:38
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TK8Q65W,S1Q 规格参数
  • 现有数量
    5现货
  • 系列
    DTMOSIV
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    7.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    670 毫欧 @ 3.9A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.5V @ 300μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    16 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    570 pF @ 300 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    80W（Tc）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    I-Pak
  • 封装/外壳
    TO-251-3 短截引线，IPak
芯知识
2.9万
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广东微尔科技有限公司
TK8Q65W,S1Q推荐型号

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