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TP65H050WS

更新时间:2025-06-06 17:32:32
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TP65H050WS 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
  • 漏源电压（Vdss）
    650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    34A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    12V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    60 毫欧 @ 22A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4.8V @ 700μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    24 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1000 pF @ 400 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    119W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-247-3
  • 封装/外壳
    TO-247-3
芯产品
1.3万
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广东微尔科技有限公司
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