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TPCF8107,LF

更新时间:2025-05-26 09:02:23
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TPCF8107,LF 规格参数
  • 品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
  • 包装：1/剪切带（CT）
  • FET 类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：22nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：970pF @ 10V
  • 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：VS-8 (2.9x1.5)
  • 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
芯知识
1.8万
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广东微尔科技有限公司
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